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電容補(bǔ)償接觸器及晶閘管開(kāi)關(guān)（可控硅開(kāi)關(guān)）投切特點(diǎn)比較
1、接觸器的投切特點(diǎn)
接觸器投切過(guò)程中，電容器的初始電壓為零，觸點(diǎn)閉合瞬間，絕大多數(shù)情況下電網(wǎng)電壓不為零、有事可能處在高峰值，(極少為零),因而產(chǎn)生非常的電流，也就是常說(shuō)的合閘涌流。實(shí)驗(yàn)表明合閘涌流嚴(yán)重時(shí)可達(dá)電容器額定電流的50倍。這不僅影響電容器和接觸器的使用壽命，而且對(duì)電網(wǎng)造成沖擊，影響其它設(shè)備的正常工作。因此，后來(lái)采用加入限流電阻來(lái)控制合閘涌流即:電容投切專用接觸器。這雖然可以控制涌流在額定電流的20倍以內(nèi)，但從長(zhǎng)期運(yùn)行情況來(lái)看，其事故率仍然很高，維護(hù)費(fèi)用較高。其原因間圖1，投入波形圖見(jiàn)圖2。總的實(shí)驗(yàn)反應(yīng)，其性能是：

2、晶閘管開(kāi)關(guān)投切特點(diǎn)
晶閘管投切電容器，是利用了電子開(kāi)關(guān)反應(yīng)速度快的特點(diǎn)。采用過(guò)零出發(fā)電路,，檢測(cè)當(dāng)施加到可控硅兩端電壓為零時(shí)，發(fā)出觸發(fā)信號(hào)，可控硅導(dǎo)通。此時(shí)電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等，因此不會(huì)產(chǎn)生合閘涌流，解決了接觸器合閘涌流的問(wèn)題。器投切時(shí)波形圖如下:

三相晶閘管(可控硅)投切開(kāi)關(guān)

晶閘管投切模塊(三相)技術(shù)源自德國(guó)，我司在充分消化吸收德國(guó)技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上，研制出了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘

管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護(hù)電路，智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā)，電流過(guò)零

斷開(kāi)，真正實(shí)現(xiàn)投切無(wú)涌流，跟隨速度快，有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷，平均響應(yīng)時(shí)間小于18ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。